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Infineon IGT40R070D1 E8220 400V GaN D类放大器解决方案

Infineon公司的IGT40R070D1 E8220是400V Cool增强模式氮化镓高迁移率晶体管(GaN HEMT).该器件通过在体二极管的零反向恢复电荷和非常小的线性输入和输出电容,克服了技术阻挡层如线性和功率损耗.CoolGaN™由于具有低/线性Coss,零Qrr和常开开关,理想的D类音频放大器提供0%失真和100%效率.D类放大器线性和功率损耗是高度依赖于开关器件的开关特性. Infineon公司的CoolGaN™通过引入体二极管的零反向恢复电荷和非常小的线性输入和输出电容,打破了这种技术壁垒.此外,增强模式提供了快速开合和关断速度,以及在单个芯片或封装内更好的集成通路.这种特性使得CoolGaN™和IRS20957SPBF D类控制器配对时更简便,能是客户更快的设计和更早走向市场.本文介绍了IGT40R070D1 E8220主要特性,电感负载开关时间测试电路以及采用IRS20957SPBF + IGT40R070D1 E8220评估板EVAL_AUDAMP24主要特性,主板和子板电路图,材料清单和PCB设计图.

 

The CoolGaN™ 400V e-mode GaN HEMT is a derivative of the industry benchmark CoolGaN™ 600V technology. This enhancement-mode power transistor (IGT40R070D1 E8220) overcomes the technology barriers, such as linearity and power loss, by introducing zero reverse recovery charge in the body diode and very small, linear input and output capacitances. The IGT40R070D1 E8220 is optimized for class D audio amplifier applications where it provides excellent audio experience.

IGT40R070D1 E8220

400V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor

The 400V CoolGaNTM family is the derivative

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