国产突破！共模半导体负压LDO系列：高压大电流低噪领跑，构建完整国产化产品矩阵

共模半导体推出负压LDO系列，以高压承载、大电流驱动、超低噪声为核心优势，覆盖多规格、多场景需求，构建起较为完整的负压LDO产品矩阵。

如果您正在为高压、大电流、低噪负压电源设计寻找高性价比国产化方案，不妨关注共模半导体负压LDO系列：这里有从200mA到1A、从-2.5V到-45V的完整产品选择，更有核心技术突破带来的稳定与高效，或许它就是您破解设计痛点、实现国产化替代的关键选择！

核心突破

• • 高压突破性适配，覆盖全场景高压工况

  打破传统国产负压LDO高压适配局限，实现-45V宽压输入的核心突破，输入电压范围从-2.5V延伸至-45V，输出电压可在-1.186V至-45V之间灵活调节。其中GM1402系列作可稳定承受-45V极端输入电压，相比同类国产产品高压承载能力提升30%以上，无需额外增设高压保护电路，即可适配工业控制、高压通信等复杂高压工况，同时兼容低压场景，实现“一器覆盖全电压”，大幅简化电路设计复杂度，降低研发成本。

• • 大电流驱动升级，满足高负载动力需求

  输出电流覆盖200mA至1A全规格，其中GM1301型号更是达到1A高输出电流，在同类国产负压LDO中表现突出。相较于传统国产产品普遍300-500mA的输出上限，该型号在提供强劲驱动力的同时，仍保持248mV低压差，能量损耗降至最低，完美适配大功率功放、工业控制模块、高端医疗设备等大负载场景，彻底改变了国产负压LDO“只能适配轻负载”的行业现状，实现“大电流+低损耗”的双重优势。

• • 超低噪声加持，兼顾高压大电流与信号纯净

  在实现高压、大电流突破的同时，该系列并未牺牲噪声控制性能——在10Hz-100kHz带宽下，输出噪声低至10μV RMS，其中GM1300型号更是达到1.95μV RMS，可完美匹配ADI的LT3094等国际巨头产品水准，为高性能模拟电路提供“零干扰”电源环境。

• • 高集成防护+微功耗，兼顾可靠与节能

  产品内置电流限制与过温保护电路，针对高压大电流场景优化防护设计，可快速响应过载、高温等异常情况，避免器件损坏，保障电源系统长期稳定运行；同时支持最小2.2μF陶瓷电容稳定工作，无需额外增加ESR（等效串联电阻），简化外围电路设计。此外，工作静态电流控制在30μA，关断电流低至3μA，相比传统方案功耗降低60%以上，兼顾高压大电流性能与节能需求，适配电池供电的便携式高压设备。

完整产品矩阵

7 款核心型号，覆盖全场景高压大电流需求

产品特性

负压LDO参数对比表：

其他特性/替代型号：

关键区别

• • 噪声性能：

  GM1300系列（GM1300/GM1302）噪声最低（1.95–8.8μV），适合射频/精密测量；GM1206/GM1402系列噪声为10μV，满足一般低噪声需求。

• • 电流能力：

  GM1301输出电流最高（1A），适用于高负载场景；GM12061/GM14021为500mA中电流型号。

• • 电压范围：

  GM1402/GM14021输入电压最宽（-45V），兼容工业高压系统；GM1206/GM12061限于-10V，适合低压应用。

• • 静态电流：

  GM1206/GM1402系列静态电流仅30μA，优化电池续航；GM1300系列为1.8mA，适合常供电系统。

• • 封装灵活性：

  GM1402提供多封装(SOT-23/DFN/MSOP)，GM1300/GM1302采用紧凑DFN便于空间敏感设计。