东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。
新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5]，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。
东芝将进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。
Ø 应用：
- 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
- 电动汽车充电站
- 光伏变频器
- 不间断电源（UPS）
Ø 特性：
- 单位面积导通电阻低（RDS(ON)A）
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）
- 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V
Ø 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）
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器件型号 |
封装 |
绝对最大额定值 |
电气特性 |
库存查询与购买 | |||||||
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漏极-源极电压 VDSS（V） |
栅极-源极电压 VGSS（V） |
漏极电流 （DC） ID（A） |
漏极-源极导通电阻 RDS(ON) 典型值（mΩ） |
栅极阈值电压 Vth（V） |
总栅极电荷 Qg 典型值（nC） |
栅极-漏极电荷 Qgd 典型值（nC） |
输入电容 Ciss 典型值（pF） |
二极管正向电压 VDSF典型值 （V） | |||
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@Tc＝25℃ |
@VGS＝18V |
@VDS＝10V |
@VDS＝400V、 F＝100kHz |
@VGS＝-5V | |||||||
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TW015N120C |
TO-247 |
1200 |
-10至25 |
100 |
15 |
3.0至5.0 |
158 |
23 |
6000 |
-1.35 |
在线购买 |
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TW030N120C |
60 |
30 |
82 |
13 |
2925 |
在线购买 | |||||
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TW045N120C |
40 |
45 |
57 |
8.9 |
1969 |
在线购买 | |||||
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TW060N120C |
36 |
60 |
46 |
7.8 |
1530 |
在线购买 | |||||
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TW140N120C |
20 |
140 |
24 |
4.2 |
691 |
在线购买 | |||||
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TW015N65C |
650 |
100 |
15 |
128 |
19 |
4850 |
在线购买 | ||||
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TW027N65C |
58 |
27 |
65 |
10 |
2288 |
在线购买 | |||||
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TW048N65C |
40 |
48 |
41 |
6.2 |
1362 |
在线购买 | |||||
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TW083N65C |
30 |
83 |
28 |
3.9 |
873 |
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TW107N65C |
20 |
107 |
21 |
2.3 |
600 |
在线购买 | |||||
注：
[1] 通过采用为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构，东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻（RDS(ON)A），同时降低JFET区域反馈电容的器件架构。
[2] MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。
[3] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[4] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比较。东芝调研。
