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希荻微推出 2:1电荷泵直充IC为三星Galaxy A23手机供电

日前,在Insight Analytical Labs最新发布的Galaxy A23拆解报告中,希荻微的电荷泵直充芯片HL7132 (WQN10)出现在三星手机Galaxy A23的主板上。HL7132通过将供电(PD)适配器的输入电流加倍,达到充电电流加倍的功能。借助HL7132,可以将供电(PD)适配器的3A电流充电至高达6A电流,从而将手机充电时间缩短50%,减少了用户的充电等待时间,提高用户体验。

HL7132是一款采用开关电容转换器架构和集成FET的低压(2:1)快速直充芯片,适用于1节锂离子和锂聚合物电池。经过优化,其可在电荷泵(CP)模式下实现50%占空比。在2:1电荷泵模式,HL7132的输出电压(VOUT)变为输入电压(VIN)的一半,输出电流(IOUT)变为输入电流(IIN)的2倍,从而降低了输入电源在充电线上的损耗,并控制了手机充电应用中的温升。

希荻微总经理David Nam表示:“希荻微是超级快充技术方面的领先企业,我们的相关技术已经从高端手机全面拓展到中端手机应用。希荻微的超级快充产品能够入选三星的高性能经济型Galaxy A23手机,我们对此感到很自豪。”

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