东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。

这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（Si）IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。

Ø 应用：

- 用于轨道车辆的逆变器和转换器

- 可再生能源发电系统

- 电机控制设备

- 高频DC-DC转换器

Ø 特性：

- 安装方式兼容Si IGBT模块

- 损耗低于Si IGBT模块

MG600Q2YMS3

VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃

Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃

MG400V2YMS3

VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃

Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃

- 内置NTC热敏电阻

Ø 主要规格：

（除非另有说明，@Tc＝25℃）