楼氏电容拓展V系列单层电容产品

楼氏集团旗下业务单元楼氏电容事业部（Knowles Precision Devices）近期宣布推出V系列单层电容产品家族新成员——新型100nF容值电容器。该100nF、高频、金丝键合装配单层电容完美匹配GaN及GaA放大器应用，其具备的小型尺寸和微波性能对此类应用至关重要。

“我们很高兴新上市的100nF单层电容将拓展我们的V系列产品家族，为我们的客户带来旁路性能和电路集成的提升”楼氏电容事业部产品经理Ian Tovar 说，“该产品凭借紧凑的尺寸，X7R的温度稳定性以及金丝键合装配成为高性能电路不可或缺的一部分。

V 系列单层电容（包括新推出的100nF单层电容）的设计旨在以更小的尺寸提供更高的容值。100nF单层电容采用具有 X7R温度特性的 II 类电介质材料，可在宽频范围内作隔直和射频旁路应用。其他用途包括滤波、调谐和耦合应用。100nF单层电容具备X7R的温度稳定性，符合RoHS规范，并提供最高等级的抗湿度能力（MSL-1）。它具有很高的电容密度，适用于导电环氧树脂或金锡焊接装配。

在射频旁路应用中，100nF电容器有助于消除电源线噪声。基于单片微波集成电路(MMIC) 的宽带增益放大器需要防止供电线的射频噪声。电源噪声会与射频信号混合而影响信噪比，从而可能造成杂散输出。旁路电容搭建一条有效的接地路径，在进入增益阶段前滤除供电线的射频噪声能量。

楼氏电容事业部（Knowles Precision Devices）凭借50多年行业知识和专业技术，在高可靠性电容器设计方面积累了丰富的经验，充分满足高可靠性要求应用领域的需求。公司的单层电容器支持微波和高达100GHz的毫米波应用，具体应用包括通用隔直、低噪声放大器、功率放大器和大功率放大器、振荡器和滤波器等。