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三星半导体发布为中国数据中心客户打造的新款高性能固态硬盘

今年4月,三星半导体将为中国数据中心客户提供一款新一代高性能固态硬盘 -- PM9A3 U.2。PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半导体专为中国数据中心客户打造,此举彰显了三星半导体计划进一步加强与中国企业合作的决心。


三星半导体发布为中国数据中心客户打造的新款高性能固态硬盘

 


PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半导体专为中国数据中心客户打造,此举彰显了三星半导体计划进一步加强与中国企业合作的决心。

PM9A3 U.2使用三星第六代3D闪存(V-NAND)技术,基于NVMe协议,完全符合开放计算项目(OCP)NVMe 云端固态硬盘规范,并能根据数据中心需求,在性能、电源效率、可靠性、安全性等方面,提供高级别的解决方案。  

值得一提的是,在目前已量产的数据中心级固态硬盘产品中,PM9A3 U.2 实现了更高级别的随机写入性能,可满足中国客户的需求,更低的能耗有利于数据中心节省运营成本,有助于减少碳排放。

PM9A3 U.2搭载了支持PCIe 4.0技术的的全新控制器和三星第六代3D闪存(V-NAND)技术,并通过固件优化实现了200K IOPS的稳态随机写入性能,同比上一代产品PM983 U.2提升了4倍。

对中国运营数据中心的科技企业而言,随机写入速度尤为重要,相信PM9A3U.2出色的表现,能很好地满足这些客户的需求。

另外,PM9A3 U.2的4K稳态随机读取性能为1100K IOPS,顺序读取速度为6900MB/s,相对上一代产品PM983 U.2分别提升2.2倍和2.16倍;并且,在每瓦304MB/s的顺序写入性能表现中,与前代产品相比,能效比提高了61%。

三星半导体存储市场部总经理郑光熙先生(音译)表示:“PM9A3 U.2是三星首个采用第六代3D闪存(V-NAND)技术并支持 PCIe4.0的NVMe固态硬盘产品,符合中国数据中心客户运营所需的特定性能和功耗配置,我们期待着它成为中国数据中心客户的极佳解决方案。”

从量产PM9A3 U.2开始,三星半导体将继续加强与全球数据中心客户合作,不断推进新一代存储技术的发展和标准化,以迎接全面开放的5G时代和不断变化的生活方式。

性能和功耗数据基于三星内部测量结果并符合以下条件:

1)性能

随机性能测试工具使用的是FIO 2.1.3。操作系统为Linux RHEL 6.6(内核3.14.29),数据块大小为4KB(4,096字节),队列深度32,4个测试线程;顺序性能块大小为128KB(131072字节),队列深度为32,1个测试线程。实际性能可能会因使用条件和环境而异。

2) 功耗

功耗是通过SSD中连接器插头的12V电源引脚测量的。 活动功耗和空闲功耗定义为最高平均功率,即在100毫秒持续时间内的最大RMS平均值。 活动功耗的测量条件假定为100%顺序读写。

注释:
SSD:固态硬盘, RMS:均方根, NVMe:非易失性内存,
IOPS:每秒读写次数,MB/s:百万字节/秒
PCIe:高速串行计算机扩展总线标准

免责声明:

*产品图片以及型号、数据、功能、性能、规格参数等仅供参考,三星电子有可能对上述内容进行改进,具体信息请参照产品实物、产品说明书。除非经特殊说明,本网站中所涉及的数据均为三星电子内部测试结果,所涉及的对比,均为与三星电子传统产品相比较。

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