总部位于东京的三菱电机将推出第二代全SiC（碳化硅）功率模块，该模块采用一种全新开发的工业用SiC芯片。
组件中的SiC MOSFET和SiC SBD芯片的低功耗特性和高载操作有望促进在各种工业领域开发更高效、更小、重量更轻的功率设备。预计2021年1月开始销售。
具体而言，与三菱第一代SiC产品相比，JFET掺杂技术的导通电阻降低了约15%。
减小镜像电容（mirror capacitance 即MOSFET结构中栅极和漏极之间的杂散电容）可以实现快速开关并降低开关损耗。
与三菱电机传统的硅绝缘栅双极晶体管（Si-IGBT）模块相比，内置的SiC MOSFET和SiC SBD有助于降低约70%的功率损耗。
三菱电机认为，降低功率损耗和高载频运行将有助于开发更小、更轻的外部部件，如反应堆和冷却器。