东芝推出有助于降低车载设备功耗的小型表面贴装的40V／60V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已经推出四款采用小型贴片式封装TSON Advance（WF），应用于车载器件的全新N沟道功率MOSFET。这些产品是我们新推出的采用TSON-Advance（WF）封装的低导通电阻N沟道MOSFET，它们分别是40 V “XPN3R804NC”和“XPN7R104NC”，60 V “XPN6R706NC”和“XPN12006NC”。

新产品采用带有可焊锡侧翼端子结构的TSON Advance（WF）封装，便于对电路板安装条件进行自动目视检查。此外，采用东芝“U-MOSVIII-H”工艺的低导通电阻产品有助于设备节能。所以我们能够用它代替具有相同封装尺寸的传统东芝产品。性能改进还有利于通过更换类似的5×6mm尺寸的产品，以促进ECU的小型化。

特性

●  符合AEC-Q101

●  低导通电阻：

      ○ RDS(ON)＝3.8mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN3R804NC）

      ○ RDS(ON)＝7.1mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN7R104NC）

      ○ RDS(ON)＝6.7mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN6R706NC）

      ○ RDS(ON)＝12.0mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN12006NC）

●  带有可焊锡侧翼端子结构的小型贴片式封装TSON Advance（WF）：3.3×3.6 mm（典型值）

应用

车载设备

●  开关稳压器

●  DC-DC转化器

●  电机驱动器

产品规格

内部电路

应用电路示例

注：本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。提供这些应用电路示例并不表示授予任何工业产权许可。