铠侠株式会社推出第五代BiCS FLASH

新一代3D闪存增加层数，提高容量，扩展带宽

内存解决方案领域的全球领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)宣布，该公司已成功开发具有112层垂直堆叠结构的第五代BiCS FLASH™三维(3D)闪存。铠侠计划开始在2020日历年第一季度为特定应用出货新设备的样品，该设备采用512 Gb（64千兆字节）容量及每单元3位（三级单元，TLC）技术*1。这款新设备旨在满足对各种应用不断增长的位需求，包括传统移动设备、消费类和企业固态硬盘(SSD)、新的5G网络支持的新兴应用、人工智能和自动驾驶车辆。

展望未来，铠侠将其新的第五代工艺技术应用于更大容量的设备，例如1 TB（128千兆字节）TLC和1.33 TB每单元4位（四级单元，QLC）设备。

铠侠创新的112层堆叠工艺技术与先进的电路和制造工艺技术相结合，与96层堆叠工艺相比，将电池阵列密度提高约20%。新技术不仅降低每位成本，而且提高每个硅晶圆的存储容量的可制造性。此外，它将接口速度提高50%，并提供更高的编程性能和更短的读取延迟。

自2007年宣布推出全球首个*2原型3D闪存技术以来，铠侠一直在推进3D闪存的开发，并积极推广BiCS FLASH™，以满足对更小芯片尺寸和更大容量的需求。

第五代BiCS FLASH™是与技术和制造合作伙伴西部数据公司(Western Digital Corporation)共同开发的。它将在铠侠的四日工厂和新建的北上工厂生产。