灿芯半导体推出第二代DDR低功耗物理层IP

2018-03-01 10:06:38 互联网

国际领先的定制化芯片（ASIC）设计方案提供商及DDR控制器和物理层IP供应商——灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）日前对外宣布推出基于SMIC40LL工艺的第二代DDR低功耗物理层IP，该IP与第一代的低功耗DDR PHY相比面积减少20%，功耗减少37%，物理实现时间减少50%。

第二代DDR低功耗物理层IP采用先进的双排IO结构，并采用了多项逻辑和物理的优化手段，延迟线面积减少20%，减少了每个DQ/DQS的时延误差，消除了之前物理实现的蛇形走线及每个DQ上不同数目的或者不同推力的缓冲器等问题，进而提高了硅利用率，提高了DDR的速度，并且减少了功耗。

第二代DDR低功耗物理层IP具有如下特性：

基于SMIC 40LL工艺

支持 DDR3/3L/3U/LPDDR3 1333Mbps, DDR2/LPDDR2 1066Mbps

支持 PHY evaluation training或者 software training模式

支持RD DQS下降沿training模式

支持AHB/APB3.0 寄存器接口

“灿芯半导体具有10年的芯片设计经验和丰富的DDR IP技术积累，灿芯的YouPHY-DDR IP覆盖SMIC28HKMG、SMIC 40LL、SMIC 55LL、130nm等工艺， 20多颗含有灿芯DDR IP的芯片成功流片，涉及DTV、AP 、导航、SSD及NVDIMM等诸多应用领域，得到客户的充分肯定，” 灿芯半导体首席技术官庄志青说，“我们将不断进行架构创新，提高服务质量，改进实现流程，从而为客户提供更有竞争力的解决方案。”