1A和2A器件的高度为0.65mm，正向压降低至0.36V。显著节省空间并提高功率密度和效率
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，新增10颗采用eSMP®系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件，扩充其表面贴装的TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器节省空间，可替换SOD123W封装的肖特基整流器，反向电压从45V到150V，其中业内首颗采用MicroSMP封装的2A TMBS整流器的正向压降低至0.40V。
目前，2A电流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封装。今天发布的这批器件在较小的MicroSMP封装内也可以输出高正向电流，从而提高了功率密度。整流器的尺寸为2.5mm x 1.3mm，高度0.65mm，比SOD123W薄35%，同时占板空间少45%。为实现良好的散热性能，MicroSMP封装采用了不对称的引线框架设计。
1A整流器的正向压降为0.36V，2A器件的正向压降为0.40V，够减少功率损耗，提高效率。针对低压高频逆变器，DC/DC转换器，续流以及极性保护等工业和商业应用。这些器件还有通过AEC-Q101认证的版本，可用于汽车应用。
新整流器的最高工作结温达+175℃，潮湿敏感度等级达到per J-STD-020的1级，LF最高峰值为+260℃。器件非常适合自动贴装，符合RoHS，无卤素。
器件规格表：
|
产品编号 |
IF(AV) (A) |
VRRM (V) |
IFSM (A) |
VF at IF and TJ |
最高TJ (°C) | ||
|
VF (V) |
IF (A) |
TA (°C) | |||||
|
V1P6 |
1 |
60 |
25 |
0.45 |
1 |
+125 |
+150 |
|
V2P6 |
2 |
60 |
30 |
0.51 |
2 |
+125 |
+150 |
|
V1PL45 |
1 |
45 |
25 |
0.36 |
1 |
+125 |
+150 |
|
V2PL45 |
2 |
45 |
30 |
0.40 |
2 |
+125 |
+150 |
|
V1PM10 |
1 |
100 |
25 |
0.58 |
1 |
+125 |
+175 |
|
V2PM10 |
2 |
100 |
30 |
0.62 |
2 |
+125 |
+175 |
|
V1PM12 |
1 |
120 |
25 |
0.61 |
1 |
+125 |
+175 |
|
V2PM12 |
2 |
120 |
30 |
0.65 |
2 |
+125 |
+175 |
|
V1PM15 |
1 |
150 |
25 |
0.64 |
1 |
+125 |
+175 |
|
V2PM15 |
2 |
150 |
30 |
0.68 |
2 |
+125 |
+175 |