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三菱电机开始发售 功率半导体“SiC-SBD”

为降低电源系统的耗电量、缩小其体积做出贡献

三菱电机株式会社此次推出采用了SiC1的功率半导体新产品“SiC-SBD2”,新产品为有效降低用于空调及太阳能发电中的家电・工业用电源系统的耗电量、缩小其体积做出了贡献。该产品将于3月1日起陆续发售。

※1  Silicon Carbide:碳化硅
※2 SchottkyBarrier Diode:肖特基势垒二极管



新产品的特点

1.通过采用SiC,为降低耗电量、缩小体积做出贡献
・通过使用SiC大幅降低开关损耗,降低约21%的电力损耗3
・实现高速开关,为缩小电抗器等配套零部件的体积做出贡献
※3 与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si(硅)二极管相比

2.通过采用JBS结构,提高可靠性
・采用pn结与肖特基结相结合的JBS4结构
・通过JBS结构提高浪涌电流耐量,从而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky

发售概要

产品名

型号

封装

规格

发售日期

SiC-SBD

BD20060T

TO-220

20A/600V

3月1日

BD20060S

TO-247

9月1日
(样品出厂日期:3月1日)

销售目标

近年来,出于节能环保的考虑,人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET5的SiC功率半导体模块,广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等,为降低家电及工业机械的耗电量,缩小其体积和重量做出了贡献。

在这一背景下,此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。搭载在电源系统中的“SiC-SBD”,将为降低客户的系统耗电量,缩小体积做出贡献。

本产品的开发部分得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

※5 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管

主要规格

型号

BD20060T

BD20060S

规格

20A / 600V

耐浪涌电流(绝对最大额定值)6

155A

正向电压(标准)Tj=25℃

1.35V

封装

TO-220

TO-247

封装尺寸

10.1×29.0×4.7mm

15.9×41.0×5.0mm


※6 8.3msec, sine wave
环保考虑
符合RoHS7指令(2011/65/EU)。
※7 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment

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