为降低电源系统的耗电量、缩小其体积做出贡献
三菱电机株式会社此次推出采用了SiC※1的功率半导体新产品“SiC-SBD※2”,新产品为有效降低用于空调及太阳能发电中的家电・工业用电源系统的耗电量、缩小其体积做出了贡献。该产品将于3月1日起陆续发售。
※1 Silicon Carbide:碳化硅
※2 SchottkyBarrier Diode:肖特基势垒二极管
新产品的特点
1.通过采用SiC,为降低耗电量、缩小体积做出贡献
・通过使用SiC大幅降低开关损耗,降低约21%的电力损耗※3
・实现高速开关,为缩小电抗器等配套零部件的体积做出贡献
※3 与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si(硅)二极管相比
2.通过采用JBS结构,提高可靠性
・采用pn结与肖特基结相结合的JBS※4结构
・通过JBS结构提高浪涌电流耐量,从而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky
发售概要
产品名 |
型号 |
封装 |
规格 |
发售日期 |
SiC-SBD |
BD20060T |
TO-220 |
20A/600V |
3月1日 |
BD20060S |
TO-247 |
9月1日 |
销售目标
近年来,出于节能环保的考虑,人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※5的SiC功率半导体模块,广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等,为降低家电及工业机械的耗电量,缩小其体积和重量做出了贡献。
在这一背景下,此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。搭载在电源系统中的“SiC-SBD”,将为降低客户的系统耗电量,缩小体积做出贡献。
本产品的开发部分得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。
※5 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管
主要规格
型号 |
BD20060T |
BD20060S | |
规格 |
20A / 600V | ||
耐浪涌电流(绝对最大额定值)※6 |
155A | ||
正向电压(标准)Tj=25℃ |
1.35V | ||
封装 |
TO-220 |
TO-247 | |
封装尺寸 |
10.1×29.0×4.7mm |
15.9×41.0×5.0mm | |
※6 8.3msec, sine wave
环保考虑
符合RoHS※7指令(2011/65/EU)。
※7 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment