MACOM推出第四代100W硅基GaN宽带晶体管

M / A-COM技术解决方案公司（“MACOM”）（纳斯达克股票代码：MTSI），高性能模拟射频，微波和光学半导体产品的领先供应商，今天宣布了新MAGX-100027-100C0P，优化的宽带晶体管为DC-2.7 GHz的操作与使用内置（硅上氮化镓）的硅专有的第四代氮化镓工艺开始提供样片。这氮化镓HEMT硅D-模式晶体管非常适合于国防通信，陆地移动无线电，航空电子设备，无线基础设施，ISM应用和VHF / UHF / L / S波段雷达。

所述MAGX-100027-100C0P支持的CW，脉冲的，和具有输出功率高达100瓦（50 dBm的）线性操作。拥有50 V工作电压，该器件提供18.3 dB增益连续工作在2.45GHz的，而70％的漏极效率。对于脉冲操作，MAGX-100027-100C0P拥有18.4分贝增益在2.7 GHz和71％的漏极效率。这100％的RF测试的晶体管是在一个行业标准塑料封装，狼吞虎咽地吃了法兰。

提供性能，在低于现任LDMOS技术的预计量产成本结构对手昂贵的氮化镓上硅碳化物（氮化镓在SiC），第四代氮化镓（GEN4 GaN）的定位打破了最后的技术和商业壁垒主流氮化镓通过。 GEN4氮化镓提供大于70％的峰值效率和19 dB的增益调制的信号在2.7千兆赫，它类似于GaN的对SiC的技术，和比LDMOS更大多于10个百分点的效率。它还提供了功率密度大于四倍LDMOS的。

“这GEN4氮化镓晶体管可为客户提供最佳的性能，”加里·洛佩斯，产品经理，MACOM说。 “该MAGX-100027-100C0P是客户支持苛刻的应用和经验，由MACOM氮化镓的解决方案提供了坚实可靠的理想人选。 GEN4氮化镓产品中扩大早些时候在Si代氮化镓，它已经证明，在恶劣的环境条件下的清晰，经过现场验证的可靠性超过五年的创新和商业化的轨迹。＂