TowerJazz和Anatrix公司开发抗辐射 RF ASIC，可用于航空

2015-07-10 13:56:44 互联网

特种铸造TowerJazz和科罗拉多斯普林斯，CO，USA（定制模拟，为消费电子，无线和航天军品市场的RF和混合信号IC供应商）的Anatrix有限责任公司已经开发设计（RHBD）硬化辐射射频前端结束ASIC使用TowerJazz的SBC18HA 0.18微米硅锗（SiGe）BiCMOS工艺，通过在其新港滩，加利福尼亚州工厂的美国航天航空与国防业务部门（专用集成电路）。新的ASIC已经产生什么自称是前沿的RF相位检测与集成的控制器功能，并已成功进入飞行资格状态。

Anatrix表示，其专有的RadHard通过设计方法使客户能够实现程序耐辐射性规范，无需昂贵和费时的过度设计，创造总剂量，单粒子效应宽容和成本之间的最佳平衡。

“TowerJazz技术是这一计划的成功是至关重要的，它的SiGe BiCMOS工艺允许Anatrix实现利用的SiGe HBT [异质结双极晶体管]设备，同时通过将基于CMOS的模拟创造我们的空间的客户具有成本效益的解决方案，出色的射频性能，数字控制电路，“意见Anatrix的总裁格雷格·保罗博士

Anatrix拥有广泛的硅验证RadHard通过设计IP产品组合上TowerJazz的180纳米CMOS和SiGe工艺在纽波特海滩，加利福尼亚设施，目前正在扩大其发展成TowerJazz的130纳米工艺。

“保罗和他的团队的设计经验非常有效地利用，并实现我们的SiGe工艺产品的优势和其功能的广度，”评论迈克·斯科特导演 - 航空航天和国防业务部TowerJazz。 “我们期待着更多的成功知识产权发展的180纳米节点以及我们的130nm平台后来在2015年”

通过其纽波特海滩的设施（Jazz半导体），TowerJazz提供战略，在岸的关键美国航空航天和国防（A＆D）服务范围最广的，它可能是政府，军队和国防要求使用A＆D客户技术应用代工服务包括大模ROICs（读出集成电路），成像器，MEMS（微机电系统）和毫米波装置，等等。

TowerJazz的模块化0.18微米硅锗BiCMOS工艺平台集成了高速，标准和高击穿的SiGe双极型晶体管（NPN晶体管），低噪声，高开关速度和更好的线性度比用典型的CMOS0.18μm工艺来实现，它声称，对于应用这些功能是必需的。随着产能扩张和新技术等领域的高速硅锗，ROICs（7ML和8ML），成像和微机电系统，TowerJazz说，它继续展示其一贯承诺其A＆D的客户。

“在工程模式测试阶段，我们的客户在他们的系统中实现超越电气性能使用市售的部分是什么时，先前已经达成，”保罗说。 “作为一家无晶圆厂公司，这类客户的反馈给了我们信心，我们可以继续通过我们与TowerJazz的合作伙伴关系，以创造世界一流的耐辐射设计的，”他补充道。