X－FAB推出180纳米SOI晶圆代工技术用于汽车

2015-07-08 09:47:58 互联网

德国爱尔福特的X-FAB的芯片代工厂AG - 模拟/混合信号和微机电系统（MEMS）代工 - 已经宣布了据称是第一个具有成本效益的180纳米的硅绝缘体（SOI）技术对于需要在恶劣的环境中操作的汽车和工业应用中。

X-FAB表示，其新的成套40V和60V的高电压器件用于其XT018 180纳米的SOI平台优于批量互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，并提供了高达30％的成本节约。该XT018技术包括全面的设计支持，从而减少设计周期和首次向右成功的可能性，提供具有成本竞争力的实现下一代汽车解决方案，并导致更快的产品上市时间，该公司起算。这些新器件使XT018过程适于高级汽车应用，如单片电动机控制器和物理层收发器包括集成的或独立的LIN / CAN（本地互联网络/控制器区域网络）收发器。

“到现在为止，SOI技术被视为相当具有异国情调和非常昂贵的解决方案，但我们的XT018 SOI技术SOI抵消用更小的芯片尺寸，更高的性能，更容易设计所增加的成本，”产品营销总监沃尔克说：赫比。 “因此，它使第一次向右的成功实现。”

该XT018平台是专门为下一代汽车，工业和医疗应用最多200V的工作电压和工作温度高达175℃，而设计的。在180纳米XT018模块化高电压SOI CMOS技术结合SOI晶圆深沟槽隔离（DTI），加上这些国家的最先进的六金属层的180纳米bulk CMOS技术工艺的好处。使用SOI晶片作为起始原料，在与沟槽隔离代替CMOS中更常用的结隔离技术的组合，简化了设计概念，表示X-FAB。 SOI晶片消除寄生双极效应到衬底，减少闩锁风险。它们还使设备的开发，如真正的隔离二极管，从而反向电压保护是难以实现的批量CMOS或BCD技术，增加了公司。

新发行的核心是一个低罗恩40V NMOS晶体管的导通电阻仅有26mΩ-平方毫米。这是辅以强大的40V和60V静电放电（ESD）加强设备以及配套PMOS和耗尽晶体管。

“汽车设计要求正变得越来越有挑战性履行 - 例如，最新的CAN标准和更严格的规格的EMC（电磁兼容性）和ESD鲁棒性，”赫比表示。 “XT018技术使设计人员能够应对这些挑战，”他补充道。

新XT018 SOI技术允许与传统结隔离方案相比更加紧凑的设计，称X-FAB。例如，它允许面积高效横向隔离在两者之间对交叉耦合的输出驱动器和感应输入电路块。最简单的集成隔离器件使设计周期短，使得第一次右功能即使是复杂的系统级芯片与汽车HV（高压）设备的需求可能，该公司补充道。

增强XT018代工平台现已上市，包括全PDK（工艺设计工具包），支持所有主要的电子设计自动化（EDA）厂商，广泛器件特征分析和建模，以及全面的模拟，数字和存储器知识产权（IP）。附加新的设备，如耗尽晶体管，齐纳二极管，高性能双极结型晶体管（双极结型晶体管）和一个200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件也准备好被使用。