Cree公司推出新型900V碳化硅MOSFET系列在PCIM

2015-05-27 13:42:42 互联网

在PCIM（电源转换智能运动）欧洲2015年在纽伦堡，德国（5月19日至21日），碳化硅（SiC）北卡罗来纳州达勒姆，美国基于电源产品大厂Cree公司 - 与经销商的合作伙伴MEV Elektronik公司服务有限公司展示 - 展示碳化硅二极管，MOSFET，模块和裸芯片（包括引入900V的SiC MOSFET的一个新的家庭），其投资组合，并展示了其碳化硅技术可以实现更小，成本更低，更高效的动力系统，能够在更高的频率和操作开关在较高的温度。

演示包括：一个轻便的（<33公斤），高功率密度50kW的太阳能逆变器（基于最新克里碳化硅模块）仅有五分之一的体积和重量当量，行业领先的硅基逆变器，能够达到99的％的效率;一个220W的SiC基LED电源;和功率组件展示Cree公司的怎么1.2KV，300A的SiC模块可以振兴老，IGBT为基础的系统。

在发布会上，PCIM供应商会议期间，克里Power的技术营销经理马塞洛Schupbach讨论Cree公司的发电技术及其对光伏逆变器设计的影响。在PCIM海报会议，应用工程经理吉米刘提出的海报“高密度和高功率单级LED驱动器和1200V的SiC MOSFET”。在YoleDéveloppement公司事件，营销总监Paul Kierstead讨论碳化硅对充电器和逆变器的影响。最后，Bodo的电源系统论坛期间，业务发展及项目经理杰弗里·卡萨迪讨论了碳化硅MOSFET的900V从10kV及新发展