Vishay推出三款新器件在其新的600 V EF系列的快速体二极管的N沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology公司（NYSE股市代号：VSH）宣布推出三款新器件在其新的600 V EF系列的快速体二极管的N沟道功率MOSFET。低反向恢复电荷和导通电阻，日前，Vishay Siliconix的SiHx21N60EF，SiHx47N60EF和SiHx70N60EF提高可靠性和工业，电信，计算和可再生能源应用节约能源。

内建第二代超接面技术，今天发布了600 V快速体二极管的MOSFET提供了补充Vishay的现有标准E系列组件，扩大公司的发行设备，可以在零电压开关（ZVS）使用/软开关拓扑结构，作为相移桥梁和LLC变换器半桥。

该SiHx21N60EF，SiHx47N60EF和SiHx70N60EF增加在这些应用中的可靠性，通过提供低10倍的反向恢复电荷（的Qrr）比标准的MOSFET。这使设备恢复更迅速地阻止全面的击穿电压，有助于避免直通和热过载故障的能力。

21一个SiHx21N60EF在四个包提供，而47一SiHx47N60EF和70一SiHx70N60EF有两种每个可用。该器件具有超低导通电阻176毫欧，65毫欧，而38毫欧，分别与低栅极电荷。这些价值观转化为极低的传导和开关损耗，达到节能的大功率，高性能的开关模式应用，包括太阳能逆变器，服务器和电信电源系统，ATX /银盒PC开关电源，焊接设备，不间断电源，电池充电器，半导体资本设备。

这些器件设计用于承受高能量脉冲雪崩和换向模式，通过100％UIS测试保证的限制。这些MOSFET符合RoHS标准且不含卤素。

现可提供新的EF系列的MOSFET的样品。量产批量将于2015年第二季度上市，有18至20周大订单的供货周期。