EPC（的eGaN）功率场效应晶体管（FET），用于功率管理的应用程序，已经推出设计有wider- 3的eGaN FET的间距连接布局。
该产品扩大“宽松的间距”设备配备为1mm球距EPC的家人。更宽的间距允许额外的和更大的通孔的设备下的位置，以使高电流承载能力，尽管非常小2.6毫米x4.6毫米足迹。
具体而言，新的eGaN功率晶体管延伸的EPC图集具有高性能，更宽的间距芯片级封装为便于大批量制造的和增强的相容性成熟的制造工艺和生产线。
该EPC2030拥有1.8MΩ，18nC的QG典型栅极电荷VDS 40V，典型导通电阻RDS（on）的漏极电压，脉冲漏495A的电流ID。该EPC2031拥有VDS 60V，RDS（ON）2.0mΩ的，17nC的QG，和450A ID。该EPC2032拥有VDS 100V，RDS（ON）3.0mΩ的，14nC的QG，和300A ID。
相较于国家的最先进的硅功率MOSFET，导通电阻类似，新产品要小得多，曾多次出色的开关性能，声称EPC。它们适合于应用，如高频直流 - 直流转换器，同步整流型DC / DC和AC / DC转换器，电机驱动器和D类音频。
定价为EPC20303.46美元，3.48美元为EPC2031和3.52美元为EPC2032，每千片订量。这三款产品都可以传递从Digi-Key。