2015年IEEE MTT-S国际微波研讨会暨展览会（IMS 2015）在亚利桑那州凤凰城（5月17日至22日），加利福尼亚Aliso Viejo的Microsemi的的公司，CA，USA（其中设计和制造的模拟和RF器件，混合信号集成电路和子系统进行通信，国防与安全，航空航天和工业市场）的特色从射频，微波和毫米波集成电路，模块，单片微波集成电路（MMIC）和其投资组合的13项新产品子系统。凭借广泛的产品系列涵盖DC到140GHz，新器件适用于国防，通信，仪器仪表，工业和航空航天等行业。
高度差异化的新产品“迎合我们的客户群，以及在国防行业的增长预测，通讯，仪器仪表的移动需求，工业和航空航天市场，”规范希尔德雷思，副总裁兼Microsemi的分立产品部总经理说：集团。 “Microsemi的提供射频，微波和毫米波天线对位解决方案，逐步侧重于高性能半导体（CMOS，硅锗，砷化镓，氮化镓和InP）和封装技术，”他补充道。 “这使我们与行业领导者不断努力在我们的目标市场来解决复杂的工程问题的离散，RFIC，MMIC，模块和子系统的水平。”
产品展示而在IMS包括以下内容：
覆盖L-＆S波段，以800W的GaN HEMT射频功率晶体管
Microsemi的扩大的射频功率晶体管家族基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）碳化硅（SiC）的技术包括额定150W和800W之间的五个新L-和S波段RF功率晶体管。新1012GN-800V，1214GN-600VHE，1214GN-400LV，3135GN-280LV和2425GN-150CW RF功率晶体管提供性能在尺寸，重量，功率和效率方面适用于范围广泛的航空电子设备，雷达，以及工业，科学和医疗（ISM）应用。
射频模块和子系统
所述L0618-50-T523是一个高功率的宽带氮化镓放大器，可提供饱和输出功率在6-18GHz的频率范围内的100W，并提供在紧凑10“×8.25”×6“机架安装配置。设计用于陆地移动电子战应用程序，它在-20°C至+ 50°C基板温度运行，并带有散热片和风扇进行冷却。该放大器故障保护，过温度和反向电源监视器，并经营从一个28-36V DC电源。
单片SPST PIN开关元件通过提供40GHz的低损耗
Microsemi的MPS4101-012S和MPS4102-013S是被设计以最小的寄生电感以在整个50MHz至40GHz的频率范围内提供最佳的插入损耗和隔离特性的单片硅单片串并联的元件。该产品是合适替代常规分流式芯片和串联式梁式引线PIN二极管中的宽带微波开关的制造正常使用。
小于31分贝在26GHz1.1分贝插入损耗和隔离，再加上5纳秒的快速开关时间，同时处理连续波（CW）功率3W的，该设备适合宽带高线性度的应用，如测试设备，电子对抗（的ECM）和电子战（EW）。该产品符合每个欧盟指令2002/95 / EC RoHS要求。
宽带同轴限制器提供接收器保护100W CW
Microsemi的GG77317-01通过GG77317-05系列宽带同轴电缆限制器的提供都声称什么是跨越10MHz的前所未有的连续功率处理能力至2.5GHz，10MHz至4GHz的和10MHz至6GHz的频段。能够限制60W的，70W和入射CW功率100W的，宽带同轴限制器适于在ECM接收机保护，EW，雷达和测试设备的应用程序。同轴限制器设有插入损耗低至0.3分贝和最大VSWR（电压驻波比）的1.4的值：1在2-3GHz的频率范围内。所有器件型号提供峰值射频功率处理能力和1.5-2μs典型的恢复时间1000W。
适合在恶劣的环境中使用，以及射频和微波实验室的应用中，PIN二极管为基础的限配备SMA母连接器，旨在满足或超过MIL-STD-883的环境条件而不损坏。
MMIC产品Microsemi的产品组合涵盖直流到65GHz的频率范围和目标范围广泛的应用，包括那些在电子战，雷达，测试和测量仪器，和微波通信。该产品系列是基于高性能的工艺技术和包括高功率和低噪声宽带放大器，放大器模块，预定标器，衰减器和开关。该公司提供17个分布式放大器产品。其预定标器结合更高频率操作时，可以灵活地由大量的比率划分，和什么声称是优良的残留相位噪声。