东芝已推出了一款1200V碳化硅肖特基二极管（SBD）产品

2015-02-09 14:01:15 互联网

东芝已推出了一款1200V碳化硅肖特基二极管（SBD）产品：TRS20J120C，它主要适用于400V的高压工业应用系统。
通过采用宽带隙半导体SiC材料，我们成功将SBD耐受电压提高到1200V，而如果使用硅材料，最高耐受电压只有200V。
另外，因为我们的SiC-SBD采用了结势垒肖特基（JBS）结构，从而相比于传统的SBD结构能降低泄漏电流，当应用于高电压和大电流时，它也能稳定工作。

The package photograph of 1200 V SiC schottky barrier diode TO-3P(N) package: TRS20J120C.

应用

·开关电源中的功率因素校正

·高效的DC-DC转换器

·光伏逆变器

·不间断电源（蓄电池）

·车用无线电源

产品特性/轮廓图

产品特性

·高的峰值正向电压：V_RRM=1200V

·保证T=175°C

·低的重复峰值反向电流：I_RRM=90μA（最大值）

·大的I²t限值：I²t=112.5A²s

·在高温条件下较低的恢复损耗

·采用JBS结构

The illustration of features of 1200 V SiC schottky barrier diode TO-3P(N) package: TRS20J120C.

轮廓图

The illustration of outline drawing of 1200 V SiC schottky barrier diode TO-3P(N) package: TRS20J120C.

电路实例开关电源

The illustration of circuit example of 1200 V SiC schottky barrier diode TO-3P(N) package: TRS20J120C.

逆变器电路的回流二极管

The illustration of circuit example of 1200 V SiC schottky barrier diode TO-3P(N) package: TRS20J120C.

主要规格

TRS20J120C的主要规格（@T_a=25°C）
器件型号	封装	绝对最大额定值				V_FM最大值 @I_F=20A （V）	I_RRM最大值 @V_R=1200V （μA）
器件型号	封装	V_RRM （V）	I_F_（_DC_）（A）	I²t （A²s）	T_j （°C）	V_FM最大值 @I_F=20A （V）	I_RRM最大值 @V_R=1200V （μA）
TRS20J120C	TO-3P（N）	1200	20	112.5	175	1.7	90