东芝已推出了一款车用60V系统N通道功率MOSFET产品：TK25S06N1L

2015-02-09 13:56:12 互联网

东芝已推出了一款车用60V系统N通道功率MOSFET产品：TK25S06N1L。
通过安装由U-MOSVIII-H系列工艺所开发的采用低电阻DPAK+封装的MOSFET芯片，该产品实现了行业领先^*1的低导通电阻特性。它采用了特殊的结构，可实现低导通电阻特性，从而可减少导电损失并抑制开关噪声，所以它可以非常有效地降低EMI噪声。该产品建议用于汽车设备的马达驱动器和引擎ECU等应用领域。
TK25S06N1L将符合AEC-Q101汽车级电子元器件标准的要求。^*2。

·*1：与具有相同最大额定值的产品相比，根据截止于2015年1月的东芝调查。

·*2：请检查具体情况下的符合性目录。

The package photograph of automotive N-ch power MOSFET, 60 V, 25 A product (18.5 mΩ, DPAK+ package): TK25S06N1L.

产品特性/轮廓图

产品特性

·行业领先的^*1低导通电阻：
R_DS_（_ON_）=18.5mΩ（最大值）＠V_GS=10V

·保证T_ch=175°C

·低的开关噪声

·支持逻辑电平驱动（4.5V）

轮廓图

The illustration of outline drawing of automotive N-ch power MOSFET, 60 V, 25 A product (18.5 mΩ, DPAK+ package): TK25S06N1L.

应用

汽车设备

·马达驱动器

·引擎ECU

·LED车头灯

·DC-DC转换器

电路实例马达驱动器

The illustration of circuit example of automotive N-ch power MOSFET, 60 V, 25 A product (18.5 mΩ, DPAK+ package): TK25S06N1L.

LED车头灯

The illustration of circuit example of automotive N-ch power MOSFET, 60 V, 25 A product (18.5 mΩ, DPAK+ package): TK25S06N1L.

直接喷射式引擎ECU

The illustration of circuit example of automotive N-ch power MOSFET, 60 V, 25 A product (18.5 mΩ, DPAK+ package): TK25S06N1L.

主要规格

主要规格（@T_a=25°C）
极性	器件型号	绝对最大额定值				R_DS_（_ON_）最大值 @V_GS=10V （mΩ）	R_th_（_ch-c_）最大值（°C/W）	栅极和源极之间的齐纳二极管	系列	封装
极性	器件型号	V_DDS （V）	I_D （A）	I_DP （A）	T_ch （°C）	R_DS_（_ON_）最大值 @V_GS=10V （mΩ）	R_th_（_ch-c_）最大值（°C/W）	栅极和源极之间的齐纳二极管	系列	封装
N-ch	TK25S06N1L^*3	60	25	50	175	18.5	2.6	有	U-MOSVIII-H	DPAK+
N-ch	TK90S06N1L^*4	60	90	180	175	3.3	0.95	无	U-MOSVIII-H	DPAK+

·*3：新产品

·*4：TK90S06N1L于2014年8月启动生产