Vishay推出新的双向和对称(BiAs)单线ESD保护二极管---VESD15A1-HD1-G4-08。该二极管具有超过15.5V的反向雪崩击穿电压和低正向电压，采用超小的LLP1006-2L封装。
Vishay Semiconductors VESD15A1-HD1-G4-08具有1.0mm x 0.6mm的小占位和不到0.4mm的厚度，在智能手机、平板电脑、游戏机和MP3播放器等产品中可减少ESD保护所需的电路板空间。对于这些设备，该二极管的泄漏电流小于0.01μA，在0V下的负载电容为45pF，能提供优异的到地隔离性能。
任何超过15.5V反向击穿电压的瞬态电压信号都将被钳位，并短路到地。负极性瞬态电压信号在正方向上驱动二极管，也会被钳位到地电平以下。器件在1A电流下的最大反向和正向钳位电压分别为20V和1.3V。
VESD15A1-HD1-G4-08能够为一条数据线提供瞬态保护，保护等级达到per IEC 61000 4 2要求的3kV(空气和接触放电)，可对超过6A的高浪涌电流进行保护，符合IEC 61000-4-5要求。器件的潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-020的1级，达到UL 94 V-0规定的阻燃等级，在pin脚上镀镍钯金，以防止锡须生长。保护二极管符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。可以用标准视觉检查对焊接进行检查，无需进行X射线检查。
新的VESD15A1-HD1-G4-08现可提供样品，实现规模量产，大宗订货的供货周期为八周。