东芝推出40V电压功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列，新系列减少了76％的导通电阻，实现业界顶级的低导通电阻^[1]。此外，它还减少了Qoss^[2]的增加，从而提高开关电源的效率。样品出货即日起启动。

注：

·[1]截至2014年11月4日。东芝调查。

·[2]Qoss：输出电荷。

·业界顶级的低导通电阻：0.85mΩ（最大值）

·业界顶级的低R_DS（ON）・Qoss：60mΩ・nC

适用于服务器和电信基站的高效开关电源

欲了解更多关于东芝MOSFET产品，请访问：

http://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/mosfet.html