IR的电池保护MOSFET系列为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案

2014-12-02 16:32:52 互联网

IR近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFETMOSFET。

全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供两个采用共漏极配置的20V N通道MOSFET。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR拥有适合电池管理的广泛的MOSFET产品系列，提供行业标准封装以及适合精密设计的小罐式双DirectFET封装。新器件具有低导通电阻，可替代采用较大封装的MOSFET，从而节省电路板空间及系统成本。”

所有新产品均不含铅、溴和卤，符合第一级湿度敏感度标准 (MSL1)及电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

规格

器件	通道类型	配置	封装	V_BRDSS(V)	最大V_GS (V)	4.5V下的最大导通电阻 (mΩ)	2.5V下的最大导通电阻 (mΩ)	典型Q_G (nC)
IRL6297SD	N	双共漏极	DirectFET SA	20	12	4.9	6.9	54
IRLML2246	P	单	SOT-23	-20	12	-135	-236	2.9
IRLML2244	P	单	SOT-23	-20	12	-54	-95	6.9
IRLML6244	N	单	SOT-23	20	12	21	27	8.9
IRLML6246	N	单	SOT-23	20	12	46	66	3.5
IRLML6344	N	单	SOT-23	30	12	29	37	6.8
IRLML6346	N	单	SOT-23	30	12	63	80	2.9
IRLHS2242	P	单	PQFN 2x2	-20	12	-31	-53	12
IRLHS6242	N	单	PQFN 2x2	20	12	11.7	15.5	14
IRLHS6276	N	双独立	PQFN 2x2	20	12	45	62	3.1
IRLHS6342	N	单	PQFN 2x2	30	12	15.5	19.5	11
IRLHS6376	N	双独立	PQFN 2x2	30	12		82	2.8
IRLTS2242	P	单	TSOP-6	-20	12	-32	-55	12
IRLTS6342	N	单	TSOP-6	30	12	17.5	22	11

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