ST旗下500余款引脚、软件兼容的STM32产品家族新增加一系列新产品。STM32 F7新系列微控制器(MCU)内核采用ARM公司最近发布的最新、最强的ARM Cortex-M处理器ARM Cortex-M7。意法半导体的STM32 F7系列性能远超以前的高性能32位Cortex-M微控制器领军产品—意法半导体自已的STM32F4微控制器，通过无缝升级路径将处理性能和DSP性能提高一倍。
作为业内最成功的基于Cortex M内核的微控制器，STM32F7新系列微控制器的工作频率高达200MHz，采用6级超标量流水线和浮点单元(Floating Point Unit ，FPU)，测试分数高达1000 CoreMarks[1]。该微控制器外围架构创新成果提升了产品的性能和易用性：意法半导体在新微控制器内引入两个独立的无等待状态访问内外存的加速机制，即在内部嵌入式闪存和1级高速缓存内应用意法半导体独有的自适应实时(ART Accelerator™)加速器技术，处理器访问内外存的代码和数据无需等待。
ARM 的CPU产品部总经理Noel Hurley表示：“ARM和意法半导体建立了长久广泛的业务关系，我们非常兴奋看到这种关系扩展到基于最新的ARM Cortex-M7的微控制器。这种合作伙伴关系让对性能和可靠性要求苛刻的嵌入式应用领域获得最广泛的生态系统的支持。”
意法半导体微控制器市场总监Daniel Colonna表示：“作为ARM的主要合作伙伴，我们与ARM保持密切的合作关系，同时我们也与客户密切合作，确保他们能够及时得到支持向市场推出新产品，这让我们在Cortex-M微控制器市场长期保持领导地位。我们强大的开发生态系统结合多元化的微控制器、传感器、功率器件和通信产品组合，以及贴心的客户技术支持服务，让我们的STM32 F7成功延续了STM32微控制器产品家族，使内存和外存的性能达到一个新的水平，给开发人员带来新的创新机会，帮助他们不需要再根据存储器性能调整代码。”
采用意法半导体的经过制造检验的稳健的90纳米嵌入式非易失性存储器CMOS制造工艺[2], STM32F7系列证明意法半导体正在履行“加快创新，加快上市”的承诺。同时，随着意法半导体开始进军更先进的技术节点，先进的面向未来的系统架构有更大的空间提高微控制器的性能。目前STM32F756NG高性能微控制器的样片仅提供给主要客户。
技术细节：
超出人们预期的是，STM32F7虽然性能提高了，但是能效并没有影响。尽管功能更多，新系列运行模式和低功耗模式（停止、待机和VBAT）的功耗与STM32F4保在同一水平线上：工作模式能效为7 CoreMarks/mW；在低功耗模式下，当上下文和SRAM内容全都保存时，典型功耗最低120 uA；典型待机功耗为1.7uA；VBAT模式典型功耗为0.1uA。
除意法半导体的ART Accelerator™和 4KB指令和数据缓存外，STM32 F7还集成智能灵活的系统架构：
AnAXI和先进高性能总线矩阵(Multi-AHB, Advanced High-performance Bus)，内置双通用直接访存(DMA)控制器和以太网、通用串行总线On-the-Go 高速(USB OTG HS, Universal Serial Bus On-the Go High Speed)和Chrom-ARTAccelerator™图形硬件加速等设备专用DMA控制器；
·采用512KB和1MB嵌入式闪存，可满足应用对大容量代码存储需求；
·大容量分布式架构SRAM：
o在总线矩阵上有320KB共享数据存储容量（包括240KB +16KB）和保存实时数据的64KB紧耦合存储器(TCM, Tightly-Coupled Memory)数据RAM存储器；
o保存关键程序的16KB指令TCM RAM存储器；
o在低功耗模式下保存数据的4KB备份SRAM存储器。
·STM32 F7外设还包括一个独立的时钟域，可在不影响通信速度的情况下让开发人员修改系统时钟速度
·灵活的内置32位数据总线的外存控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、 NOR/NAND存储器
·即便引脚数量少的封装也提供双/四路SPI接口，以低成本方式扩展存储容量
·基于现有的STM32 F4系列指令集，仅提供单周期乘法累加(MAC)指令，提供单指令多数据流(SIMD)指令，该指令计算32位字内的8位和16位值。
[1]CoreMark是嵌入式微处理器基准评测协会(EEMBC)开发的嵌入式微处理器性能基准，作为一个行业标准，该基准使用一套应用代码算法测量微处理器的实际运算性能。
[2]意法半导体90纳米工艺是STM32 F4 产品于2011年发布至今Cortex-M微控制器领域性能最高的制造技术，CoreMark测试成绩是有力的证明。