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IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列

IR) 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关损耗,旨在为焊接应用做出优化。

新器件采用沟道纤薄晶圆技术把导通损耗和开关损耗降到最低,并与软恢复低Qrr二极管一起封装。这些600V IGBT通过5µs短路额定值来提供从8KHz到30KHz的超高速开关,还具备有助于并联的低Vce(on) 和正温度系数。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR66xx系列把导通损耗和开关损耗降到最低,能够为希望优化焊接应用性能的设计师提供坚固可靠的解决方案。”

全新IGBT IR66xx系列还具有高开关频率、最高达175°C的工作结温和低电磁干扰的特点,有效提升可靠性和系统效率,并且提供稳固的瞬态性能。

规格

器件编号

封装

BV

100°C 下的IC

VCE(ON)

经过优化的频率

IRGP6630D

TO-247

600

30

1.65

超高速 (8-30kHz)

IRGP6640D

TO-247

40

超高速 (8-30kHz)

IRGP6650D

TO-247

50

超高速 (8-30kHz)

IRGP6660D

TO-247

60

超高速 (8-30kHz)

IRGP6690D

TO-247

90

超高速 (8-30kHz)

IRGPS66160D

Super TO-247

160

超高速 (8-30kHz)

产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求 。相关数据和IGBT产品在线选型工具现已供应。
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