IR推出100V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF

IR推出100V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF，为通信应用中的DC-DC电源提供基准性能。

IRFH7185TRPbF采用IR全新的100V FastIRFET工艺，提供基准的导通电阻栅极电荷品质因子 (Rds(on)*Qg figure of merit)，以实现更高效率和功率密度，并且提高系统可靠性。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IRFH7185TRPbF提供超低导通电阻，并且比同类型器件的栅极电荷显著降低，所以从轻载到满载都能达到高性能的要求。IR全新的100V FastIRFET器件提高雪崩电流密度达20%，为DC-DC通信电源提供行业最坚固耐用的解决方案。”

IR FastIRFET器件可与各种控制器或驱动器配合使用，从而使设计更灵活，在更小的占位面积实现更高的电流、效率和频率。IRFH7185TRPbF达到工业级标准和第一级湿度敏感度 (MSL1) 标准，并采用了行业标准封装5x6 PQFN，所采用的材料环保，不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

规格