Vishay推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载应用,把高效同步DC/DC降压转换器所需的高边和低边MOSFET都组合进小尺寸5mm x 6mm封装里,比使用分立MOSFET的方案节省空间,低边MOSFET的最大导通电阻低至6.4mΩ。
今天发布的这些MOSFET是业内首批通过汽车级认证的采用非对称封装的双芯片MOSFET,为降低传导损耗,增大了低边MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高温下工作,具有车内任何位置的应用所需的耐用性和可靠性。器件尤其适用于车载通信娱乐系统,例如收音机和GPS系统。
SQJ940EP和SQJ942EP使设计者能够选用不同的导通电阻值。在10V电压下,SQJ940EP的沟道2低边MOSFET的最大导通电阻为6.4mΩ,沟道1高边MOSFET的导通电阻为16mΩ。与双芯片对称方案相比,SQJ940EP的低边导通电阻低31%,而尺寸同样小巧。SQJ942EP在10V下的最大低边导通电阻为11mΩ,高边MOSFET的导通电阻为22mΩ。
这些MOSFET通过了100%的Rg和UIS测试,符合RoHS,无卤素。
器件规格表:
编号 |
SQJ940EP |
SQJ942EP | |||
通道 |
1 |
2 |
1 |
2 | |
VDS (V) |
40 |
40 | |||
VGS (V) |
± 20 |
± 20 | |||
最大RDS(ON) (mΩ) @ |
10 V |
16 |
6.4 |
22 |
11 |
4.5 V |
18.5 |
7.6 |
26 |
13 |