IR近日推出首套创新的电源模块组件系列产品—— IRFH4251D和IRFH4253D,适用于DC-DC同步降压应用,包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 和笔记本电脑等。
新款25V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR的新一代硅技术和崭新的5x6 mm PQFN封装,提供功率密度的新标准。全新电源模块组件配有高度集成的单片式FETKY®,其创新的封装采用顶尖的翻模 (flipped-die) 技术,可以将同步MOSFET源直接连接到电路板的地线层以实现有效散热。由于具有更强的散热性能和功率密度,任何一个采用5x6 mm封装的新组件都可以替换采用5x6 mm封装的两个标准独立组件。全新封装还采用已在PowIRStage和SupIRBuck中广泛使用的IR专利技术单铜夹,以及经过优化的布线,有助于大幅减少杂散电感以降低峰值鸣震,这样设计师就可以用25V MOSFET代替效率较低的30V组件。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IRFH4251D和IRFH4253D电源模块组件采用顶级的硅技术和突破性封装,具有多项崭新功能,为高性能DC-DC开关应用提供行业领先的功率密度。这些组件采用更高效的布线,必可树立DC-DC双MOSFET的行业新标准。”
IRFH4251D和IRFH4253D针对5V栅极驱动应用进行了优化,可与各种控制器或驱动器结合使用,从而带来设计的灵活性,与采用两个分立式30V功率MOSFET的同类方案相比,能以较小的占位面积实现更高的电流、效率和频率。
规格
组件编号 |
封装 |
电流额定值 |
IRFH4251D |
PQFN 5 X 6 |
45A |
IRFH4253D |
PQFN 5 X 6 |
35A |