AOS发布业界最低内阻 适用通信及工业电源的150V MOSFET旗舰产品
DFN5*6封装 极低导通内阻,超强开关性能实现更高功率密度
日前，集设计，研发一体的著名功率半导体及芯片供应商万国半导体（AOS, 纳斯达克代码: AOSL)发布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS™ (MOS™)中压系列旗舰产品，为众多设备追求极致效率提供了解决方案。AON6250适用于通信及工业电源DC/DC转换器原边开关、AC/DC及DC/DC转换器副边同步整流，太阳能微逆变器，以及通信系统中的负载点模块（POL）。
采用先进的AlphaMOS™技术，AON6250实现了业界领先的低导通内阻和高速开关性能。该产品与上一代产品相比，内阻降低了57%；与市场上现有最先进的同类型150V器件相比，内阻降低了8% ，除此之外， AON6250的优值（RDS(ON) * COSS）也是市场上最好的，从而可以有效降低开关损耗。因此无论是轻载条件还是重载条件，效率都有所提高。AON6290采用DFN5x6封装，符合绿色环保产品相关规定，且电气性能方面100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试。继AON6250之后，万国半导体（AOS）将发布一系列150V MOSFET产品。
“终端客户总是要求电源系统输出更高功率并且占用更小的空间，这让电源设计工程们面临严峻考验” , AOS高级产品经理Stephen表示， “实现其功率密度，需要器件具有极低的导通内阻以及良好的开关性能，AON6250正好可以满足工程师的需求。.”
AON6250 技术优势:
150V N-channel MOSFET in a DFN5x6 package
RDS(ON) < 16.5 mOhms max at VGS = 10V (业内最低内阻)
COSS = 213 pF typ
Qg (10V) = 30.5 nC typ
业内最低 RDS(ON) * COSS (优值, 可以有效降低开关损耗)
100%经过栅极电阻测试以及UIS雪崩能力测试
