AOS万国半导体发布高可靠性600V 功率MOSFET－AlphaMOS－II系列
兼顾高可靠性与性能的理想高压解决方案
集设计，研发一体的著名功率半导体及芯片制造商万国半导体（AOS, 纳斯达克代码: AOSL)今天发布两款产品AOTF11C60 和 AOTF20C60 -采用AlphaMOS™ II 技术的600V MOSFET。 AlphaMOS™ II（正在申请结构和制程专利）技术集超结技术的低内阻特性与平面工艺的强壮性于一体，是兼顾高效率和高可靠性的理想解决方案。AOTF11C60和AOTF20C60适用于服务器电源、网络通信电源、不间断电源、光伏逆变、工业马达控制系统以及LED照明等。
采用AlphaMOS II技术，只需要简单的工艺制程就可以达到超结MOSFET的性能。AOTF11C60和AOTF20C60与市场上的同规格超结器件相比，具有更高的雪崩能量。另外AlphaMOS II系列产品优化了开关参数，提高效率的同时降低了开关噪声。 较低的RDS(ON), Ciss 和 Crss参数使得该系列产品完美地适用于高性能高可靠性的产品。
“对产品可靠性和输出效率的要求与日俱增，电源工程师对高压MOSFET的要求也越来越苛刻：既要能承受较大的反向恢复电流，又要能同时降低开关损耗与导通损耗”，万国半导体功率器件产品线副总裁Yalcin Bulut提到：“AlphaMOS II系列，其特殊的结构不仅能满足工程师上述要求，还能帮助他们开发出更加强壮可靠的电源产品。”
AOTF11C60 技术参数：
600V N-channel MOSFET
RDS(ON) < 0.4 Ohms max at VGS = 10V
COSS = 108 pF typ
Qg (10V) = 30 nC typ
AOTF20C60技术参数：
600V N-channel MOSFET
RDS(ON) < 0.25 Ohms max at VGS = 10V
COSS = 190 pF typ
Qg (10V) = 52 nC typ
交期：
AOTF11C60和AOTF20C60 全部通过栅极电阻和雪崩能量测试，且采用环保无卤TO-220塑封封装。产品交期约12周。
关于万国半导体（AOS）:
Alpha and Omega Semiconductor (AOS)为集设计、开发与销售为一体的功率半导体供应商,AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的功率MOSFET和电源管理IC(Power IC)产品系列。AOS在器件物理，工艺技术，电路设计及封装设计上拥有丰富的经验。通过将这些经验整合用于产品性能以及成本控制的优化，AOS在竞争中显示出自身的特色。AOS的产品线设计的目标是满足日益增长的高产量，高效能产品的应用需求，包括手提电脑、平板电视、电池、智能手机、便携式媒体播放器、UPS、电机控制和电力供应等。想要了解更多的产品资讯，请进AOS网站http://www.aosmd.com。
