恩智浦推出针对热插拔应用的新一代功率MOSFET

恩智浦半导体近日推出了其NextPower Live产品组合，设计出专门用于“热插拔”环境的全新线性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同时提供出色的线性模式性能和极低的RDS（on）值，该独特组合展示了恩智浦在该领域的技术能力。

运行于全天候网络世界的大部分基础设施（从云计算和移动电话到ATM和交通管理）由永久性处于工作（开启）状态的机架式系统组成。正因如此，驱动这些系统的电路板和元件必须能够实现“热插拔”工作，以实现在无需关闭设备电源的条件下即可进行产品升级和维护。恩智浦NextPower Live MOSFET旨在为这样的系统提供了最佳的性能。

在应用过程中，为应对更换板卡插入工作系统时的冲击电流，需要MOSFET具有强大的线性工作区域和很宽的安全运行区域（SOA）来防止电涌；但是，在过去需要使用RDS(on)较高且效率极低的老一代MOSFET，现在恩智浦NextPower Live系列已克服了该难题，只要系统安全安装并运行，即可提供很强的线性模式性能以及实现高效率（Rdson 很低）。

恩智浦半导体MOSFET业务经理Chris Boyce表示：“我们生活在计算和通信基础设施不间断的一个永无停歇的世界之中，享受始终连接、始终在线且没有中断的社会，这就需要特殊类型的元件能够处理关键任务的应用需求 。过去，基础设施所有者被迫使用可应对被安装到某个活动环境的老一代MOSFET，但系统却引入的高电阻值的MOSFET，它造成了过多的功率损耗且提高了机架的整体温度。我们的NextPower Live MOSFET将改变了这一切，让其在无中断可靠加电后以极低的RDS(on)值工作，并实现高效率，目前其他解决方案都无法提供可与之相比拟的性能参数。”

NextPower Live产品组合兼具30V设备（针对工作电压为12V DC的刀片服务器等应用）和100V设备（针对工作电压为标称48V DC的电信应用）。具有这两种电压范围的MOSFET采用D2PAK封装和LFPAK56（兼容Power-SO8）封装，现已上市。
恩智浦半导体还在针对以太网供电(PoE)等其他相关线性模式应用开发NextPower Live MOSFET。