具有经济性和高性能特点的50MHz至4 GHz多用途新型低噪声放大器
中国上海－ 2012年12月11日－技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出两款封装式低噪声放大器 (LNA) 增益模块－TQP3M9035和TQP3M9038，可在50 MHz至4 GHz极宽带宽范围内提供经济型的高性能。这两款放大器产品具有极高线性度和极低噪声的特点，非常适用于高性能GSM、WCDMA、CDMA和LTE基站应用。
除了在无线基础设施中实现高性能之外，新的TQP3M9035和TQP3M9038还可用于从中继器和塔式安装放大器到通用电路等需要高线性度、宽带低噪声增益模块的各种系统。
新的TQP3M9035具有+37dBm高三阶交调截取点 (OIP3) 和0.66dB极低噪声、16.5dB增益和在1dB增益压缩（P1dB）射频输出功率为22.5dB。典型使用包括接收器和发射增益模块放大器、中频增益模块放大器和用于极小口径终端 (VSAT) 的中频放大器、以及点对点微波无线电中的第一、第二或第三低噪声放大器。该器件还具有TDD-LTE系统要求的集成式数字关断偏压能力。TQP3M9038的OIP3为+39.5 dBm、噪声系数为2dB、14.9dB的平坦增益响应（500 MHz - 3.5 GHz带宽范围上偏离只有+/-0.3dB）和+21.6dBm的P1dB射频输出功率。
TriQuint使用其高性能E-pHEMT工艺为这两种新器件提供内部匹配。即使器件在极宽频率范围内工作，内部匹配可消除对许多典型外置优化电路的需要。只需要一个外置射频扼流圈以及隔离/旁路电容，操作在一个单一的+5V电源供电。TQP3M9035和TQP3M9038的功耗分别只有110 mA和85mA。两款器件均采用内置有源偏压电路，以便在偏压和温度变化时也能稳定运行。TQP3M9035采用2x2mm DFN封装，TQP3M9038采用3x3mm QFN 封装；二者都符合RoHS标准的要求。
技术细节：
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TQP3M9035 |
50 MHz - 4 GHz 高线性度低噪声放大器；0.66dB噪声系数；+37dBm OIP3；+22.5dBm P1dB射频输出功率；16.5dB 增益。提供关断能力，内匹配；在110 mA,+5V单电源运作；2x2mm DFN 塑料封装。 |
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TQP3M9038 |
50 MHz - 4 GHz 高线性度低噪声放大器；2dB噪声系数；+39.5dBm OIP3，21.6dB P1dB 射频输出功率，14.9dB +/-0.3dB (500 MHz-3.5 GHz) 极平坦增益响应。内匹配；在85 mA, +5V单电源运作；3x3mm QFN封装。 |
新TQP3M9035和TQP3M9038目前在产。TQP3M9035可提供完全组装的500 MHz - 4 GHz评估装置。TQP3M9038的装置包括中频版本 (50 - 500 MHz) 和射频版本 (500 MHz - 4 GHz)。欲了解产品细节请联系TriQuint，欲联系销售代表或分销商，请登录http://cn.triquint.com/sales。
关于TriQuint
成立于1985年的TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT）是提供世界领先水平的通信、国防和航空航天公司创新射频解决方案与代工服务的全球领先供应商。世界各地的人们和组织都需要实时、不间断的通信联系；TriQuint产品可帮助降低用于提供关键语音、数据和视频通信的互联移动设备与网络的成本和提高它们的性能。凭借业内最广泛的技术系列、公认的研发领先地位以及在大规模制造领域的专业知识，TriQuint生产基于砷化镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW) 技术的标准及定制产品。该公司在美国拥有多家已通过ISO9001认证的制造工厂，在哥斯达黎加拥有生产中心，在北美地区和德国拥有设计中心。欲知更多信息请访问http://cn.triquint.com/。