瑞萨电子推出低功耗，超小型功率MOSFET

全球领先的半导体和解决方案的主要供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）今天宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金属氧化半导体场效晶体管（MOSFET）产品，理想用于包括智能手机和笔记本在内的便携式电子产品。具有业界领先的低功耗（低导通电阻），新器件包括20 V (VDSS) µPA2600和30 V µPA2601，配置了超紧凑型2 mm × 2 mm封装，从而具有提升的功率效率并实现了小型移动器件封装尺寸的小型化。

随着功能丰富的智能手机的普及和用户对于这些器件无缝体验期望值的提升，现在对于更小型、更轻薄封装尺寸的器件的需求不断提高，而且要求这些器件具有更低的功耗，可以在两次充电期间，实现更长的电池续航能力。为了满足这些需求，设计者开始将目光投向具有更低导通电阻的功率MOSFET，用于进行充电/放电控制，RF功率放大器开/关控制以及过流切断开关，同时也可支持大电流。

新款µPA2600 和µPA2601 MOSFET满足了上述要求，在便携设备中进一步实现了小型化和业界领先的低导通电阻，同时在广泛的应用中，降低了安装区域，这些应用包括在便携式器件中的负载开关（它将应用到的IC进行开或关处理）和充电/放电控制，以及在RF功率放大器(用于高频信号的放大器)的过流切断开关。

多种具有不同电压和极性的器件，如功率MOSFET，要求匹配便携器件（包括耳机在内）中的电源技术规格要求。为了满足这些相关要求，瑞萨已经致力于降低导通电阻并创建更小型的封装，提供这些产品的丰富阵列。  

P通道和N通道功率MOSFET的主要特性：

(1) 业界领先的低导通电阻 (N通道，µPA2600和µPA2601)

µPA2600和µPA2601 MOSFET采用的是2 mm × 2 mm超紧凑型封装，20 V (VDSS) µPA2600 器件实现了9.3 mΩ (在VGSS=4.5 V的典型值)的导通电阻，30 V µPA2601器件实现了10.5 mΩ (在VGSS=10 V下的典型值) 的导通电阻，从而达到了终端产品的节能目的。

(2) 可以降低安装区域的超小型封装

瑞萨电子通过将大面积的高性能芯片置于超小型的封装，并通过采用裸露的散热型小封装，实现了超紧凑型2 mm × 2 mm封装的应用，有效降低了从封装传到安装板的热量。与现有的3 mm × 2 mm封装相比，µPA2600和类似产品可以减少大约30%的安装面积，而与现有3 mm × 3 mm封装相比较，µPA2672和类似产品可以减少大约40%的安装面积。这将有助于降低终端应用产品的尺寸和重量。

(3) 器件的扩展阵列

8个在产品中，新的P通道和N通道功率MOSFET集中在12至30V，用于常见的便携设备：4个P通道产品包括µPA2630，3个n通道产品包括µPA2600，还有µPA2690，此产品将N通道和P通道器件全部集成在一个单独的封装中。因此，这一系列可以支持多样化的应用，包括充电/放电控制，RF功率放大器开/关控制和过流切断开关。

新款功率MOSFET产品为环保型产品，符合RoHS指令(注1)和无卤要求。

在便携式电子产品领域，设备的多功能性在不断提高，而由于像智能手机这类设备的外形尺寸不断趋向薄型化，因此元件可用的安装空间也在日益变得更有限。为了满足对于小型化和更高性能的要求，瑞萨将持续开发新产品，它们将保持之前产品的性能水平，但能满足更小安装空间的要求，同时扩展其系列，从而有助于进一步实现便携设备的小型化和更高性能。

（注1）欧盟RoHS指令：欧洲议会的2002/95/EC指令和欧盟委员会在2003年1月27日关于即在电子电气设备中限制使用某些有害物质指令。

请参考附表，了解新款功率MOSFET的主要规格。

定价和供货情况

瑞萨电子新型µPA2600和µPA2601功率MOSFET的样品将于2012年4月推出，定价为每片0.4美元。量产计划于2012年5月开始，到FY2013的上半年所有八个产品每月的总共产量将达到3,000,000件。（定价和供货情况如有变化恕不另行通知。）

 P通道和N通道功率 MOSFET的产品规格