ST推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻，在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度；现在新产品的推出又将重要的能效指标提高23%以上，对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路，如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器，新产品的成功推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。

意法半导体功率晶体管市场总监Maurizio Giudice表示：“新记录突显并巩固了意法半导体在超结型MOSFET市场的领导地位，MDmesh V体现了意法半导体最新的经过市场检验的Multi-Drain Mesh技术，新产品的性能提升让客户能够降低应用设计能耗，同时强化了意法半导体关于提供对环境负责的产品同时通过设计研发创新产品为客户提供卓越性能的承诺。”

新产品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的通态电阻仅为 0.029Ω，是标准TO-247封装650V市场上通态电阻最低的产品，打破了同样是MDmesh V器件创造的0.038 Ω的原行业基准。设计工程师可直接将新产品替代通态电阻较高的MOSFET来提高终端应用的能效，或并联更少的MOSFET晶体管，从而减少封装尺寸，降低材料（BOM）成本。

相较于同类600V竞争产品，意法半导体的650V STW88N65M5及其余的 MDmesh V产品的安全边际更高，从而提高MOSFET对交流电力线上常见电涌的承受能力。

意法半导体经过市场检验的MDmesh V产品采用多种类型的封装，包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/FP、PowerFLAT 8x8 HV以及I2PAK。

TO-247封装的STW88N65M5现已上市。