Vishay发布2011年“Super 12”特色产品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，Vishay发布2011年的“Super 12”特色产品。这些元器件具有业界领先的规格标准，如导通电阻、导通电阻与栅极电荷乘积(FOM)、温度范围和电流等级。这些创新产品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 进行展示，是许多关键应用的上佳之选，也充分反映出Vishay产品线之丰富。
2011年的Super 12产品如下：
• 146 CTI SMD极化铝电容器——对于汽车应用，通过AEC-Q200认证的146 CTI电容器兼具+125℃的高温性能、低至0.035Ω的ESR，及在+125℃下长达6000小时的使用寿命。器件具有从10mmx10mm至18mmx21mm共8种外形尺寸。
• SiR662DP 60 V N沟道功率MOSFET——在采用PowerPAK® SO-8型封装的60V器件当中，SiR662DP具有业内最低的导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积（FOM）。器件在4.5V下的导通电阻为3.5mΩ，比最接近的器件低27%，在4.5V下的FOM为105mΩ-nC，比最接近的器件低57%。
• IHLP®-6767GZ-51功率电感器——IHLP-6767GZ-51是目前市场上具有最高的温度范围（高达+155℃）和最高电流等级的表面贴装功率电感器。器件的频率范围高达750kHz，典型DCR低至0.89mΩ，感值低至0.47μH。
• 45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器——除P600轴向、功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO263AB封装外，Vishay的45V TMBS整流器还具有典型高度只有1.1mm的非常薄的封装。器件在15A和+125℃条件下具有0.39V的正向电压，最高工作结温可达+150℃。
• ACAS AT薄膜芯片电阻阵列——Vishay的ACAS AT电阻阵列通过了AEC-Q200认证，在单片封装内具有精度相互匹配的电阻，可用于分压器和反馈电路。器件每个电阻的功率等级(P70)高达125mW，潮湿敏感度低于0.5%(85℃；85%RH；56天)，TCR跟踪低至10ppm/K (±5 ppm/K)。
• VCNL4000全集成型接近/环境光传感器——VCNL4000是业内首款将红外发射器、光敏PIN二极管、环境光探测器、信号处理IC和16位ADC装进3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm的小尺寸无引线(LLP)表面贴装封装内的环境光传感器。这款器件具有占用空间小的特点，并且具有易用的I2C总线通信接口，在各种各样的消费和工业应用中能够大大简化设计。
• NTC Mini Lug传感器——Vishay的Mini Lug NTC传感器只需要业内最小的65mm2 / 0.1in2安装空间，响应时间小于4秒，能够快速和准确地测量-40℃～+125℃范围内的温度。
• DG9454三端SPDT（2:1复用器）——DG9454为3D快门式眼镜进行了优化，在2.7V～12V的V+和2.5V～+5.5V的VL工作电压范围内可确保兼容1.8V的逻辑电平，小于1µA的功耗能够大大延长电池寿命。
• TP3TANTAMOUNT®模压外壳SMD电容器——汽车级的TP3具有牢固的结构和低ESR，适用于引擎控制和安全系统。电容器经过了100%的浪涌电流测试，提供业界标准的A～E外形尺寸，以及扩大了容值和电压范围的新的W外形尺寸。
• 600V FRED Pt超快恢复二极管——对于DCM、CRM和CCM PFC应用，Vishay的600V超快恢复二极管能够提供丰富多样的功率封装和高达+175℃的工作结温，可实现更稳固和更具性价比的设计方案。器件具有极低的泄漏电流、正向电压等级，以及Qrr和Trr。新的“U”系列采用了特殊设计，具有超快的软恢复时间。
• WSLP、WSLT、WSLS和WSH Power Metal Strip®电阻——Vishay的Power Metal Strip电阻为检流和脉冲应用提供了增强的功率处理能力和环境性能。WSLT电阻可在+275℃温度下工作。采用1206和2818外形尺寸的WSLP和WSH电阻分别具有高达1W和5W的功率。WSLS具有更好的稳定性，可达0.25%和0.5%。
• SiZ730DT非对称双芯片功率MOSFET——SiZ730DT将高边和低边MOSFET组合在一个小尺寸6mmx3.7mm的PowerPAIR封装内，这种封装比两片分立的PowerPAK 1212-8封装小1/3，比两片分立的SO-8封装小2/3，从而节省空间并提高性能。此外，器件的非对称设计使导通电阻比使用PowerPAK 1212-8封装的低边MOSFET低30%。
