IR新型-30V P沟道功率MOSFET使设计更简单灵活
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“相比上一代产品，这个新型SO-8 P 沟道 MOSFET系列显著改善了电流处理能力，更为客户提供广泛的导通电阻选择，以适应他们对温度和成本的要求。同时，P 沟道技术也可以简化电路设计。”
P 沟道 MOSFET器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 标准，所采用的材料不含铅，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
产品规格
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器件编号 |
封装 |
BV (V) |
最大 Vgs (V) |
10V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ) |
4.5V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ) |
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IRF9310 |
SO-8 |
-30 |
20 |
3.9 / 4.6 |
5.8 / 6.8 |
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IRF9317 |
SO-8 |
-30 |
20 |
5.4 / 6.6 |
8.3 / 10.2 |
|
IRF9321 |
SO-8 |
-30 |
20 |
5.9 / 7.2 |
9.3 / 11.2 |
|
IRF9328 |
SO-8 |
-30 |
20 |
10.0 / 11.9 |
16.1 / 19.7 |
|
IRF9332 |
SO-8 |
-30 |
20 |
13.6 / 17.5 |
22.5 / 28.1 |
|
IRF9333 |
SO-8 |
-30 |
20 |
15.6 / 19.4 |
25.6 / 32.5 |
|
IRF9335 |
SO-8 |
-30 |
20 |
48 / 59 |
83 / 110 |
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IRF9362 |
SO-8 (dual) |
-30 |
20 |
17.0 / 21.0 |
25.7 / 32 |
新器件现已接受订单，数据和应用说明已刊登于 IR 的网站 http://www.irf.com 。
