东芝推出用于便携式电子产品负载开关的小信号P沟MOSFETS

东芝美国电子元器件有限公司(TAEC)扩大了其产品线的P沟道功率MOSFET，用于新一代低压负载开关，工作电压1.5V,有更低导通电阻(R_DS(ON)),电流范围为1.0A~5.0A。典型应用于手机，数码相机，便携式音频播放器和其它便携式电子器件。

新产品包括具有-20V的漏源电压(V_DSS)的5个高速开关功率MOSFET，为设计者提供导通电阻R_DS(ON))，输入电容和封装的选择。该系列采用三种不同的小型薄型封装：3引脚TSM(2.9x2.8x0.7mm)，6引脚UF6(2.0x2.1x0.7mm)，和3引脚UFM(2.0x2.1x0.7mm)。

采用TSM封装的新器件包括SSM3J307T，在V_GS=-1.5V，R_DS(ON)为83mΩ（最大值），在-2.5V，R_DS(ON)为40mΩ，以及输入电容为1170pF¹S；SSM3J321T在V_GS=-1.5V，R_DS(ON)为137mΩ(最大值)，在2.5V为62mΩ，以及输入电容为640pF¹。相比之下，上一代SSM3J13T为-12V_DSS器件，在V_GS=-2.5V，R_DS(ON)为95mΩ(最大值)，以及输入电容为890pF¹。

另一个采用UF6封装的新MOSFET，SSM6J409TU，在V_GS=-1.5V，R_DS(ON)为72.3mΩ（最大值），在-2.5V为30.2mΩ，以及输入电容为1100pF¹。其前身SSM6J51TU在V_GS=-1.5V，R_DS(ON)为150mΩ(最大值)，以及输入电容为1700pF¹。

采用UFM封装的两个新MOSFET，一个为SSM3J130TU，为-20V_DSS器件，在V_GS=-1.5V，R_DS(ON)为63.2mΩ(最大值)，以及输入电容为1800pF¹，另一个为SSM3J129TU，为-20V_DSS器件，在V_GS=-1.5V，R_DS(ON)为137mΩ(最大值)，以及输入电容为640pF¹。相比之下，上一代SSM3J120TU，在V_GS=-1.5V，R_DS(ON)为140mΩ(最大值)，以及输入电容为1484pF¹。

价格和供货情况：

所有上述产品的样品均可提供，批量生产正在增加，样品数量起价为$0.12。