NXP推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品
恩智浦资深国际市场产品经理John David Hughes先生表示：“在MOSFET制造技术领域，改善性能是一场旷日持久的竞赛。我们在新Trench 6工艺中采用创新技术，进一步减小了导通电阻。对客户而言，这一新的Trench技术为他们带来许多优势，例如：提高的硅技术开关效率、出色的电阻和热阻封装性能。恩智浦Power-S08 (LFPAK) 封装与广为使用的Power SO-8 PCB封装相兼容。”
领先全球的恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2–25YL，采用Power-S08 (LFPAK)封装时25 V MOSFET的RDSon是0.9毫欧（典型值），30 V MOSFET的RDSon达到1.0毫欧（典型值）。
除了全球最低RDSon MOSFET之外，恩智浦还宣布推出面向电源、电机控制和工业市场的新产品系列。该系列产品的工作电压为25 V、30 V、40 V和80 V，采用Power-S08 (LFPAK)和TO220封装。
上市时间：
PSMN1R2–25YL现已上市。
