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Diodes推出新型双MOSFET组合式器件节省空间无损性能

Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封装，包含一对互补100V增强式MOSFET，性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。

最新双器件封装内的N与P通道MOSFET，可在10V栅极电压 (VGS) 下实现极低的栅极电荷，典型导通电阻 (RDS(ON)) 分别为230mΩ 和235mΩ，确保开关及导通损耗保持在最低水平。功率耗散分别为2.4W及2.6W。


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