Vishay推出高操作电压IGBT和MOSFET驱动器VO3120/50A
VO3120和VO3150A都带有一个与集成电路光学耦合的LED，功率输出级的操作电压范围是15V～32V，输出电流分别可达2.5A和0.5A。新器件的电压和电流使其适合直接驱动电压等级为800V的IGBT，VO3120可驱动电流为50A的IGBT，VO3150A可驱动电流为20A的IGBT。驱动器的操作电压最高可达32V，是目前业界最高的，这样VO3120和VO3150A可以驱动通常需要双面电源的更大模块，让设计者在挑选功率器件时有更大的选择余地。
两款驱动器的最高环境工作温度可达+110度，设计者可以把驱动器放置在更靠近IGBT的位置，抑或使用更小的散热器，从而简化热管理。2.5A的低功耗也有助于减小功率和散热。Vishay提供的热模型可帮助设计者进行热仿真。
VO3120和VO3150A均提供无铅、符合RoHS指令的DIP-8和SMD-8封装。这两款器件现可提供样品，将于2009年6月正式量产，大宗订货的供货周期为四至六周。
