Toshiba公司推出适用于汽车运动控制的Power MOSFET系列
Toshiba推出的新MOSFET系列根据该公司的最新U-MOS半导体技术，最大电压(VDSS)额定值为60V，最大电流额定值（ID）为150A。最新U-MOS半导体技术使RDS(ON)典型值降到1.7mΩ，典型输入电容(Ciss)低到4500pF。因此，该器件可提供行业中最小的RDS(ON)*栅极电荷(Qg)＂品质因数＂，从而确保最佳开关速度和效率。
所有这些新的MOSFET都采用Toshiba TO220SM(W)封装。此封装采用铜连接器和各种端接材料，降低了RDS(ON)和封装电感、减少热阻。以确保高电流承载能力。同时封装技术符合沟道温度175ºC时的AEC-Q101标准。其封装厚度仅为3.7mm，表明它比现有TO-220SM封装技术薄21%。
Toshiba公司目前生产的TO220SM(W)汽车MOSFET系列包括5个器件：有不同的电流/电压额定值：-60V/-120A (TJ120F06J3)；40V/100A (TK100F04K3)；40V/150A (TK150F04K3)；60V/100A (TK100F06K3)和60V/130A (TK130F06K3)。典型RDS(ON)额定值从1.7mΩ ~5.5 mΩ，而典型的Ciss和Qg额定值分别为4500pF~11500pF、
98nC~258nC。
