Vishay Siliconix发布第三代20V P通道TrenchFET功率MOSFET
新款Si7615DN提供了超低的导通电阻，在10V、4.5V和2.5V条件下的导通电阻分别为3.9mΩ、5.5mΩ和9.8mΩ。第三代TrenchFET功率MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗，使器件在执行开关任务时比市场上已有的P通道功率MOSFET消耗的能量更少。
Si7615DN采用了与Vishay最近发布的第三代TrenchFET 20V P通道器件Si7137DP相同的PowerPAK SO-8封装。为满足各个应用的特殊需求，第三代P通道TrenchFET封装为设计工程师提供了多个选项，使工程师能够在具有最大漏极电流和散热功率的PowerPAK SO-8封装(分别比SO-8封装高60%和75%)，或是节省空间的PowerPAK 1212-8封装之间进行选择。
直到最近，只有30V电压的P通道功率MOSFET才具有这样低的导通电阻范围，因此Si7615DN的出现使设计工程师不再依赖于现有的高压MOSFET。在竞争的30V器件中，采用PowerPAK 1212-8封装的器件在10V和4.5V栅极驱动电压下的导通电阻分别为14.4mΩ和27mΩ。
Si7615DN可用做电源适配器开关，或用于笔记本电脑、上网本、工业/通用系统中的负载切换应用。适配器开关(在适配器、墙上电源或电池电源之间切换)是始终导通的，并吸取电流。Si7615DN更低的导通电阻使其功耗更低，可节省电能并延长电池寿命。
新款TrenchFET 功率MOSFET Si7615DN经过了100%的Rg测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为10周至12周。
