Hitachi 推出高压IGBT实现了新型E2系列技术

2009-04-10 14:31:00 MBN1000E33E2，MBN1500E33E2

日立的电源器件部门宣布推出2款高压IGBT模块。新型3.3KV MBN1000E33E2和MBN1500E33E2 IGBT模块分别可以提供1000A和1500A的额定电流。新型模块是利用日立的新型E2系列精密型芯片工艺技术制造而成的，该工艺实现了更加经济的生产工艺，提高了电流承受能力，并且增加了有效芯片单元面积。使用E2系列技术使得新型MBN1000E33E2和MBN1500E33E2 IGBT能够实现比现有E系列产品更高的额定电流。

MBN1000E33E2采用小占位面积封装，而MBN1500E33E2则采用大占位面积封装。日立新型IGBT模块的典型应用包括推进和辅助动力系统、可再生能源、功率调节和重工业系统。

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