美光发布行业密度最高的块抽象化NAND闪存产品系列

2009-03-16 15:07:00

美光公布其高密度系列的块抽象化(BA) NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案，使用美光业内领先的34纳米工艺技术 - 将MLC NAND与一个内存控制器相结合，无需对控制器/系统进行费力的重设计即可采用后续世代的NAND。

当前，多数NAND闪存的主控制器的任务是管理关键的NAND功能，例如块管理和损耗均衡算法，以及提供足够的错误校正代码(ECC)覆盖以确保系统稳定性。但是，由于这些功能随着每一代的NAND变得更加先进，设计者必须跟上最新的创新以使他们的芯片组恰当地管理NAND并确保系统运作稳定。

美光的BA NAND使设计者通过很少的更改从原始NAND转移到一个管理型解决方案。它使用自己的内嵌控制器，使主芯片组不用负担NAND的管理，使系统制造商跟上NAND的技术创新并缩短其上市时间。

BA NAND的益处包括：

易于设计：由于BA NAND使主控制器/系统设计者不用负担NAND的管理，与目前标准的“原始”NAND实施相比较，系统集成以大幅简化。

兼容性：BA NAND采用业内标准的LGA-52封装，符合ONFI 1.0规范。

具成本效益的解决方案：开发者现在能够减少与重新设计芯片组以适应新的NAND技术变化相关联的研发和硅成本。

高容量：美光当前试验生产8GB 和 16GB的BA NAND，该系列支持嵌入式应用不断增加的数据密集型存储要求。

美光NAND市场开发总监Kevin Kilbuck说：“嵌入式应用越来越要求生产高密度的记忆体解决方案，这将继续推动NAND闪存技术的发展。美光是首屈一指的NAND技术创新者，我们认识到制造商在其系统中实施新的NAND技术时面临的复杂性。通过推出BA NAND，我们为客户提供在其系统中充分利用最新NAND闪存技术的途径，同时避免高成本的重新设计，并最终缩短上市时间。”

供货情况

美光当前试验生产8GB 和 16GB的BA NAND。公司计划在2009年末扩大供货。