NEC电子欧洲公司推出汽车应用的小型HSON-8封装PowerMOSFET
HSON-8封装尺寸为6.0毫米 x 5.2毫米 x 1.45毫米，与SOP-8封装的占位面积相同。HSON-8封装与DPAK (TO-252)封装相比，节省一半安装空间，同时兼具DPAK封装优异的热性能和电子性能。HSON-8封装的最大载流能力为75A。配合NEC电子的UMOS-4沟道技术，N沟道器件的RDS(on)为5.1 mΩ，VDSS = 40 V (NP75N04UG)，P沟道器件（NP75P03*DG）的RDS(on)为6.2 mΩ，VDSS = -30 V。击穿电压为-30 V、40 V和60 V的N沟道和P沟道PowerMOSFET目前正在研发阶段。
和NP系列的其他产品一样，新器件符合AEC-Q101标准，支持沟道温度最高达175 °C，镀锡引脚使其完全符合RoHS标准。
新HSON-8封装满足汽车工程领域里对小尺寸、适合有限空间应用的高性能PowerMOSFET的需求，如ABS和燃油喷射系统。
供货
采用新HSON-8封装的PowerMOSFET样品现可供货，计划2009年上半年开始量产。若要获得小封装新品的和其他NEC电子功率管理器件的更多资讯，请访问
