TOSHIBA 3位/单元32nm和4位/单元43nm NAND闪存技术突破性进展
近日，Toshiba与其技术伙伴SanDisk在加利福尼亚洛杉矶的国际晶体管电路讨论会（ISSCC）上联合发布了这些重要的技术进步。
NAND闪存制造商必须要面对市场对高存储密度低成本的需求。Toshiba和SanDisk已经通过应用其创新技术做出了积极的响应。
3位/单元32nm技术时代的器件为其行地址解码器和扩展的列结构采用最优化的电路设计，做到了尺寸仅为113mm2 的芯片，是该技术时代下已达到的最小晶片尺寸。4位/单元适用用于超多位编程技术，可实现64Gb存储容量、7.8MB/s的写入速度而不会增加芯片尺寸。
