TOSHIBA推出打破带宽和存储密度纪录的FeRAM

2009-02-13 14:42:00 FeRAM

近日，TOSHIBA（美国）电子公司推出非易失性铁电随机存储器（FeRAM）原型，存储密度达128Mb，读写速度为1.6 GB/s，将重新设定存储密度和运行速度的业界基准。该存储器改进了公司原来的链式FeRAM架构（芯片调节的一种常见折衷方式），可防止单元信号退化。该器件实现了将FeRAM的存储密度调高至128Mb。此外，独特的电路设计可预测并控制电源波动，并集成有DDR2接口，可以较高的吞吐量和较低的功耗最大化数据传输速率。

主要技术参数：
工艺 130纳米CMOS
密度 128Mb
单元尺寸 0.252 µm2
读/写速率（带宽） 1.6 GB/s（DDR2接口）
周期时间 83纳秒
存取时间 43纳秒
电源 1.8V