Ramtron推出4M 并行非易失性F-RAM存储器FM22LD16
Product Features 产品功能
FM22LD16为256K x 16非易失性存储器，具有工业标准并行接口。存取时间为55ns，周期时间为110ns。FM22LD16以总线速度无延迟写入、至少1E14（100万亿）次写次数，以及10年的数据保存期。
这款4M FRAM是标准异步SRAM的直接取代品，但性能远超过SRAM，无需电池即可备份数据，由于其整体结构可靠性更高。FM22LD16是真正的表面贴装解决方案，无需返工步骤来贴附电池，且与带备用电池的SRAM不同，FM22LD16为高度防潮、抗振动和震动器件。
FM22LD16具有与目前高效能微处理器连接的方便接口，具有高速页模式，可在40MHz频率下实现4字节突发读写操作，总线速度明显高于其他非易失性存储器。FM22LD16与相同密度的非易失性存储器相比，工作电流较低，读写操作时工作电流为8毫安，待机电流为90微安。FM22LD16工作电压为2.7至3.6V，可在-40°C至+85°C的工业温度范围工作。
价格和供货
符合RoHS标准的48引脚BGA封装的FM22LD16现已提供样品。少量订购单价$23.00起。
